on ON Semiconductor ( sic ) n 沟道 mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
低接通电阻 80mohm 型
高接点温度
超低栅极电荷
低有效输出电容
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 30 A |
最大漏源电压 | 1200 V |
封装类型 | D2PAK - 7L |
引脚数目 | 7 |
最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
最大栅阈值电压 | 4.3V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |