the Infineon 600V cool mos ™ CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术,集成了快速主体二极管,完善了 cool mos ™ 7 系列。cool mos ™ CFD7 的栅极电荷 (qg) 降低,关闭行为得到改善,反向恢复电荷 (qrr) 比竞争产品低 69% ,而且反向恢复时间也在市场上最低 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同类杰出的 rds (接通) / 封装
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 14 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.17. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |