SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统,以实现小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷(典型 Qg = 259 nC)
低切换损耗
低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 1972 pF)
低切换损耗
极佳的主体二极管性能(低 Qrr、坚固的主体二极管)
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS(接通)= 23 mΩ
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 59 A |
最大漏源电压 | 40 V |
封装类型 | DPAK |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 + Tab |
最大漏源电阻值 | 5.8 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 40 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±20 V |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 6.22mm |
长度 | 6.73mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |