the Infineon coolmos ™ ce 适用于硬切换和软切换应用,作为现代超级结,它提供低传导和切换损耗,从而提高效率,最终降低功耗。 600V 、 650V 和 700V coolmos ™ ce 结合了最佳 r ds ( on )和封装,适用于手机和平板电脑的低功率充电器。
缩小典型和最大 r ds ( on )之间的边距
减少输出电容( e oss )中存储的能量
坚固的主体二极管、可减少反向恢复电荷 ( q rr )
优化的集成 r g
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 5 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | IPAK (TO-251) |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 1.5 欧姆 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |