Infineon 700V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级结点技术相比，具有基本的性能提升，可满足低功率 smp 市场的需求，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。通过将客户的反馈与 20 多年的超结 mosfet 经验相结合， 700V coolmos ™ P7 能够在效率和散热性方面最适合目标应用，易于使用的 emi 行为。
极低的 fom r ds （ on ） x e oss
降低 q g 、 e 和 e
高性能技术
低切换损耗（ e oss ）
高效
极佳的热行为
允许高速切换
集成保护齐纳二极管
优化的 3V v （ gs ） th 具有非常窄的容差 ±0.5 v
精细分级产品组合
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8.5 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | T-220 fullpak 窄引线 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 600 个月 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
