the Infineon 600V coolmos ™ n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ P6 超结 mosfet 系列设计用于实现更高的系统效率，同时易于设计。 极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
非常高的换向坚固性
易于使用 / 驱动
无铅电镀、无卤模制化合物
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 23.8 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | To － 220 fullpak |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.16 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
