the Infineon 600V coolmos ™系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ C7 是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率半导体，设计符合超结（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先推出。
适用于硬切换和软切换 （ pfc 和高性能 llc ）
将 mosfet dv/dt 坚固性提高至 120V / ns
增加切换频率
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 109 a |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | Pg 至 247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.017. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
