典型 RDS (on) = 2.2M ， VGS = 10V ， ID = 80A
典型 QG (TOT) = VGS 处的 80NC =10V ， ID =80A
UIS 能力
这些设备无铅
应用
工业马达驱动
工业电源
工业自动化
电瓶操作工具
电池保护
太阳能逆变器
UPS 和能源反相器
能量存储
负载开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 176 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 80 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
