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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET

订 货 号:IPD80R360P7ATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:进口

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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET
产品详细信息

the Infineon 800V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求,是低功率开关电源应用的理想选择。它主要侧重于回扫应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。 与之前的产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争产品相比、此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 dak r ds ( on )产品实现更高的功率密度设计。总体而言、它可帮助客户节省 bom 成本并减少装配工作量。

杰出的 fom rds (接通) * 减少了 qg 、 ciss 和 coss
杰出的 dak rds (接通)
杰出的 v ( gs ) th 3V 和最小的 v ( gs ) th 变化 ±0.5 v
集成齐纳二极管 esd 保护
完全优化的产品组合


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 13 A
最大漏源电压 800 V
封装类型 DPAK (TO-252)
引脚数目 3
最大漏源电阻值 360 mo
最大栅阈值电压 3.5V
暂无

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