the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术,集成了快速主体二极管,从而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) 以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同类杰出的 rds (接通) / 封装
同类杰出的硬换向坚固性
用于谐振拓扑的最高可靠性
效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡
实现更高的功率密度解决方案
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 51 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | PG-TO252 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.17 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 2 |