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Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET

订 货 号:FF6MR12W2M1B11BOMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon 6 mo 、 1200 v 半桥模块采用碳化硅 mosfet 、具有 ntc 温度传感器和压配触点技术。它还提供热接口材料。

高电流密度
低电感设计
低切换损耗
符合 rohs 标准的模块


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 200 A
最大漏源电压 1200 V
封装类型 Easy 2B ™ / 模块
引脚数目 35
最大漏源电阻值 0.00825 Ω μ m
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5.55V
每片芯片元件数目 2
晶体管材料 SiC
暂无

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