on ON Semiconductor 单 n 沟道碳化硅（ sic ） mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。系统优点包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更小的系统尺寸以及更低的成本。
超低栅极电荷（典型值 qg （ tot ） = 220nC ）
低有效输出电容
通过 100% 雪崩测试
符合 AEC Q101 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续漏极电流 | 98 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | D2PAK∠7L |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.028 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | SiC |
