1.8 V 驱动
低接通电阻：RDS（接通）= 289 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)
RDS（接通）= 170 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)
RDS（接通）= 126 mΩ（最大值）(@VGS = 4.0 V)
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-23F |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 289 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.5 nC @ 4 V |
| 长度 | 2.9mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.8mm |
