Infineon 700V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级接线技术相比，具有基本的性能提升，可满足低功率的开关电源市场的需求，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。最新的 coolmos ™ P7 是一款针对消费市场中的成本敏感型应用（如充电器、适配器、照明、电视等）定制的优化平台
由于极低的 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss ，损耗极低
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 封装类型 | T-220 fullpak 窄引线 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.9. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
