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Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 MOSFET

订 货 号:BSZ110N08NS5ATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 MOSFET
产品详细信息

600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

它具有坚固的主体二极管
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 80 V
封装类型 P预 热封装 3.3 x 3.3
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 0.011. Ω
最大栅阈值电压 3.8V
每片芯片元件数目 1
暂无

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