600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。
它具有坚固的主体二极管
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 40 A |
最大漏源电压 | 80 V |
封装类型 | P预 热封装 3.3 x 3.3 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.011. Ω |
最大栅阈值电压 | 3.8V |
每片芯片元件数目 | 1 |