Taiwan Semiconductor 30V ， 55A ， 8 引脚 N 通道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强型通道模式。它通常用于 BLDC 电动机控制和电池电源管理等应用。
低 RDS (接通) 至有效减少 导电损耗
逻辑电平
低栅极电荷，用于快速电源切换
经过 100% UIS 和 RG 测试
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 WEEE 2002/96/EC
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
40W 最大功耗
栅极阈值电压范围介于 1.2V-2.5V 之间
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 15 MΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 3.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 4.5 V、37 nC @ 10 V |
| 长度 | 4.85mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
