the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos P6 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
易于使用 / 驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 19.2 a |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | Pg/vson -4 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 5 |
| 最大漏源电阻值 | 0.21 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
