on ON Semiconductor n 沟道 1200V mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
连续漏极电流额定值为 19.5a
漏极到电源接通电阻额定值为 224mohm
超低栅极电荷
高速切换和低电容
100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 19.5 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | D2PAK - 7L |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 225 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.3V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
