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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET

订 货 号:IPDD60R190G7XTMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon 技术引入了双 dak (ddpack) ,这是首款顶部冷却表面安装设备 (smd )封装,适用于 pc 电源、太阳能、服务器和电信等高功率开关电源应用。现有的高电压技术 600V coolmos ™ G7 超接点( sj ) mosfet 的优势与创新的顶部冷却概念相结合,为高电流硬切换拓扑(如 pfc )提供系统解决方案,并为 llc 拓扑提供高端效率解决方案。

实现最高能效
板和半导体的热去耦可克服热印刷电路板限制
寄生源电感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解决方案
高品质标准


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 13 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 DDPAK
引脚数目 10
最大漏源电阻值 190 米Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
暂无

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