Infineon P7 超结（ sj ） mosfet 设计出色的性能和易用性、可改善外形和价格竞争力、从而应对低功率开关电源市场的典型挑战。这款采用了此种方法的、具有成本效益的一对一嵌入式 dak 替代产品、还可在某些设计中减少印迹。它可放置在典型的 dak 印迹上、并显示可比较的热性能。这种组合使 P7 它在型式、采用型、为其目标应用提供了完美的安装。700V 和 800V cool mos P7 经优化可用于回飞拓扑。600V cool mos P7 sj mosfet 适用于硬切换拓扑（ fly back 、 pfc 和 llc ）和开关拓扑。

易于使用、通过低振铃趋势进行快速设计 和用法
 跨 pfc 和 pwm 级
由于低切换和传导、简化了热管理
 损失
通过使用产品 swith 实现更高的功率密度解决方案
 >采用 2kVESD 、体积更小、制造质量更高
 保护
适用于各种应用和功率范围