Infineon 的最新一代 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET 专门设计用于电信系统和服务器电源的同步整流。此外，这些器件还可用于其他工业应用，如太阳能、低电压驱动器和适配器。新款 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供业内最低的 R DS(on)。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
与上一代产品相比，R DS(on) 下降多达 43%
优点：
最高系统效率
减少切换和传导损耗
所需并联减少
功率密度增加
低电压过冲
目标应用：
电信
服务器
太阳能
低电压驱动器
轻型电动车
适配器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 176 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO 263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + 2 Tab |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 11.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.31mm |
