the Infineon 600V coolmos ™ P7 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有极低的切换和传导损耗、使切换应用更高效、更紧凑且更凉爽。coolmos ™ 7th 代平台是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率器件，设计符合超结（ sj ）原理，并由 Infineon 技术开创。
适用于硬切换和软切换（ pfc 和 llc ） 由于卓越的换向坚固性
显著减少切换和传导损耗
出色的 esd 稳定性 >2kV （ hbm ）、适用于所有产品
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | To -220 fullpak 宽爬电距离 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.36. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
