汽车级 MOSFET,世界上最大的符合 AEC-Q101 标准的功率 MOSFET 产品组合,对汽车系统要求和专注技术能力的深入了解,使 Nexperia 能够在广泛的应用中提供功率半导体解决方案。从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求,Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
符合 AEC-Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175°C,适用于对热量要求苛刻的环境
20 V,P 通道 Trench MOSFET,P 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
超快切换
增强型功耗能力:Ptot = 890 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | -3.3 A |
最大漏源电压 | -20 V |
封装类型 | SOT23,TO-236AB |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | -1.25V |
最小栅阈值电压 | -0.75V |
最大功率耗散 | 6250 mW |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | 12 V |
每片芯片元件数目 | 3 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 3mm |
典型栅极电荷@Vgs | 5 nC @ 10 V |
宽度 | 1.4mm |