850V 超结 X 类功率 MOSFET，具有快速体二极管，代表 IXYS 公司新推出的功率半导体产品系列。这些坚固耐用的设备具有行业内最低通态电阻，在高压功率转换应用中实现非常高的功率密度。采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发而成，全新的 850V 设备具有最低通态电阻（例如，SOT-227 封装为 33 毫欧，PLUS264 为 41 毫欧），并具有低栅极电荷和卓越的 dv/dt 性能。
超低接通电阻 RDS（接通）和栅极电荷 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 850 V |
| 封装类型 | SOT227 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V |
| 最大功率耗散 | 1.17 kW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 25.07mm |
| 长度 | 38.23mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 425 @ 10 V nC |
| 最高工作温度 | +150 °C |
