Infineon N 通道 MOSFET 的最大连续漏为 4.5 A，漏源电压为 800 V。主要用于驰返式应用，包括适配器和充电器、LED 驱动器、音频开关电源、辅助电源和工业电源。MOSFET 的工作温度从 -55 °C 至 150 °C。
一流的性能。
可实现更高功率密度的设计
节省物料清单 (BOM) 和降低装配成本
易于驱动和并联
通过减少 ESD 相关的故障来提高成品率
减少生产问题和现场退货
易于选择正确的零部件来实现设计精调
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | TO-220 FullPAK |
| 安装类型 | 通孔 |
