on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工艺生产、该工艺采用了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
低 rds （接通）可有效减少传导
低电容、有效减少驱动器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 93 A |
| 最大漏源电压 | 120 V |
| 封装类型 | DFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 5 |
| 最大漏源电阻值 | 0.006. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
