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Infineon IPB180N04S4H0ATMA1 MOSFET

订 货 号:IPB180N04S4H0ATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:进口

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Infineon IPB180N04S4H0ATMA1 MOSFET
产品详细信息

the Infineon ® T2 系列 n 沟道汽车 mosfet 。它具有 TO263 - 7 - 3 封装类型。

175°C 工作温度
超低 Rds(on)
100% 雪崩测试


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 180 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 D2PAK 7pin (至 263 7pin )
安装类型 表面贴装
引脚数目 7
最大漏源电阻值 0.0011. Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
暂无

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