这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
低阈值 - 2.0 V（最大值）
高输入阻抗
低输入电容 - 100 pF（典型值）
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 安装类型 | 通孔 |
