此 n 通道 mosfet 采用 on 半导体 Advanced ® 工艺生产。硅和双 cool ™封装技术的先进技术相结合，可提供最低 rds （接通），同时通过极低的接点到环境热阻保持极佳的切换性能。
TOP I是 标准 5x6mm 引脚外露的
通过封装的顶部和底部提高散热 TOP
超低 Rds(on)
减少传导损耗
降低电容和封装电感
减少切换损耗
应用
交流 - 直流和直流 - 直流电源中的同步整流器
电动机开关
负载开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 235 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 166 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 91 nC @ 10 V |
| 宽度 | 5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6mm |
