Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
无铅引线电镀
符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 114 a |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | Pg/tsdson -8 fl |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0028. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
