所有产品均采用小信号封装，适用于汽车应用
Infineon 的高创新 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品均满足电源系统设计关键规格（如导通电阻和品质因数特征）方面的最高质量和性能要求
增强型模式
无铅引线电镀
目标应用：
汽车
消费品
直流-直流
电动汽车
电动机控制
笔记本
板载充电器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 140 mA |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 封装类型 | SC-59 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 20 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| 长度 | 3mm |
