SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 30 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
内部栅极电阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
典型 RDS（接通）= 170 mΩ
波焊保证
计算
消费品
工业
笔记本电脑/台式电脑/游戏控制台
电信/服务器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 长度 | 10.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 4.6mm |
