ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点( sj ) mosfet 系列,利用电荷平衡技术,可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
超低栅极电荷
低有效输出电容 691 pve.
通过 100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 40 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 0.067 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |