Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它采用 SuperSO8 封装，可提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件，从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装，提供优质产品。
逻辑级别可用性
极佳的热行为
通过 100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 150 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SO8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0036 O ， 0.0048 O |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
