Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 3 引脚封装提供可靠且经济高效的性能。CoolSiC MOSFET 技术利用了碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，可提高设备的性能，坚固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先进的沟道半导体构建，经过优化可在应用中实现最低损耗和最高操作可靠性方面不受影响。
低电容
优化了高电流时的切换行为
卓越的栅极氧化物可靠性
极佳的热行为
增强的耐雪崩能力
可与标准驱动程序一起使用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 46 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-TO247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.05 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5.7V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
