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Infineon BSS209PWH6327XTSA1 MOSFET

订 货 号:BSS209PWH6327XTSA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon BSS209PWH6327XTSA1 MOSFET
产品详细信息

英飞凌制造的增强模式的P沟道型晶体管被广泛应用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。此器件是 OptiMOS-P 小信号晶体管,其超级逻辑电平为2.5V(额定)。工作温度为150°C。它具有雪崩和 dv /dt 等级。它是无铅电镀的、无卤素。

VDS 为-20 V,RDS(接通),最大550 mΩ,Id 是 -0.63 A
最大功耗为500mW


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 630 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-323
安装类型 表面贴装
暂无

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