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Toshiba TK30E06N1 MOSFET

订 货 号：TK30E06N1      品牌：东芝_Toshiba

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Toshiba TK30E06N1 MOSFET
产品详细信息

MOSFET N 通道，TK3x 系列，Toshiba

MOSFET 晶体管，Toshiba


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 43 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 15 MΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最大功率耗散 53 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 4.45mm
晶体管材料 Si
长度 10.16mm
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
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