超 FET ® III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET 系列，采用充电平衡技术，可提供出色的低导通电阻和更低栅电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET ® MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。
TJ = 150°C 时为 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低栅极电荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
这些设备无铅
典型应用
车载充电器
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 313 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
