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Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M MOSFET

订 货 号:TPH2R608NH,L1Q(M      品牌:东芝_Toshiba

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Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M MOSFET
产品详细信息

Toshiba MOSFET 由硅材料制成,具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于高效率直流 - 直流转换器和开关电压调节器应用。

高速切换


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 168 A
最大漏源电压 75 V
封装类型 SOP
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 2.6e+006 Ω
最大栅阈值电压 4V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料
暂无

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