Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | Pg － TO252 － 3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
