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onsemi FCP165N65S3 MOSFET

订 货 号:FCP165N65S3      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:进口

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onsemi FCP165N65S3 MOSFET
产品详细信息

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 19 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 165 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最小栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 154 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±30 V
长度 10.67mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时,39 常闭
宽度 4.7mm
最高工作温度 +150 °C
暂无

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