on ON Semiconductor 单 n 沟道 100V mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
连续漏极电流额定值为 60A
漏极到源接通电阻额定值为 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度减少传导损耗
优化的切换性能
低 qg 和电容、可最大程度减少驱动器损耗
业界最低的 qrr 和最软的主体二极管，可提供卓越的低噪声性能 切换
降低切换噪声/EMI
高效、开关尖峰和 emi 更低
封装类型为 D2PAK3
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 60 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | D2PAK3 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
