ON Semiconductor DFN5 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新型产品、具有 80V 的漏电源电压和 20V 的最大栅源电压。它在 10V 的栅源电压下具有 2.1mohm 的漏极电阻。它具有 203A 的连续漏电流和 200W 的最大功耗。 此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。MOSFET 经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
• 紧凑型设计
•无铅 (Pb)
•低 QG 和电容
•低 QG 和电容可最大限度地减少驱动器损耗
•低 RDS （接通）以最大限度地减少传导损耗
•尽量减少传导损耗
•尽量减少驾驶员损失
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•占地面积小（ 5x6 毫米）
• 48V 系统
• DC/DC 转换器
•负载开关
• 电动机控制
•电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、 H 型桥等）
•切换电源
•同步整流器
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 203 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | DFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 5 |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 6.1mm |
| 宽度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V |
