工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。
低接通电阻
高电流容量
体积小巧 (5 x 6 mm)
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
紧凑设计
应用
电动机控制
同步直流到直流调节器
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
电池管理和保护
最终产品
电池组
电源
旋转无人机
电动工具
以太网供电 (PoE)
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 42 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | DFN |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 14.4 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.2V |
最小栅阈值电压 | 1.2V |
最大功率耗散 | 37 W |
最大栅源电压 | ±20 V |
每片芯片元件数目 | 2 |
最高工作温度 | +175 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
长度 | 5.1mm |
宽度 | 6.1mm |