N/P 双沟道 MOSFET，高效性能、高效设计，由于 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组合在一个便捷的封装内，因此这些互补型 MOSFET 设备为空间受限的系统提供更大的灵活性。我们的产品系列包含多种电压和电流额定值，可满足各种应用的要求。
20 V，互补型 N/P 沟道 Trench MOSFET，互补型 N/P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低漏泄电流
Trench MOSFET 技术
超低阈值电压 VGS(th) = 0.7 V，适合便携式应用
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
静电放电 (ESD) 保护：> 1 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
电平移位电路
电池驱动便携式设备的电源管理
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 600 mA |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | DFN1010B-6, SOT1216 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 0.95V |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V |
| 最大功率耗散 | 4025 mW |
| 最大栅源电压 | 8 V |
| 每片芯片元件数目 | 6 |
| 长度 | 1.15mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
| 宽度 | 1.05mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
