the Infineon 600V cool mos ™ P7 是 600V cool mos ™ P6 系列的它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。cool mos ™ 7th 系列平台杰出的 r onxa 和固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。它结合了快速切换 sj mosfet 的优点和出色的易用性、例如振铃趋势非常低、主体二极管具有卓越的坚固性、可抗硬换和出色的 esd 能力。此外、极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更凉爽。
适用于硬切换和软切换（ pfc 和 llc ） 由于卓越的换向坚固性
出色的 esd 稳定性 >2kV （ hbm ）、适用于所有产品
显著减少切换和传导损耗
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.6 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
