ON Semiconductor 650 V ， 42 mΩ N 沟道碳化硅 MOSFET。碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外，低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率，更快的操作频率，更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
高接点温度
高速切换和低电容
Vgs = 18V ， mΩ = 66A 时，最大 RDS (接通) = 50 m Ω
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 66 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
