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onsemi NVMFS5C638NLT1G MOSFET

订 货 号:NVMFS5C638NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

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公司基本资料信息







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onsemi NVMFS5C638NLT1G MOSFET
产品详细信息

汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点
行业标准小尺寸 5 x 6 mm 封装
低 RDS(接通)
低 QG 和电容
NVMFS5C638NLWF - 可润侧翼选件
支持 PPAP

优点
紧凑型设计和标准尺寸,可直接嵌入
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学检验
应用
反向器电池保护
开关电源
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
最终产品
电磁阀驱动器 – ABS,燃油喷射
电动机控制 – EPS、雨刷、风扇、座椅等。
负载开关 - ECU、底盘、车身


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 133 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 DFN
安装类型 表面贴装
引脚数目 5
最大漏源电阻值 3 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2V
最小栅阈值电压 1.2V
最大功率耗散 100 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±20 V
长度 5.1mm
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +175 °C
宽度 6.1mm
典型栅极电荷@Vgs 18.4 nC @ 4.5 V
暂无

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