the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封装，特别适用于高功率开关电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和 ev 充电站，在那里可以显著提高效率。作为 CFD2 sj mosfet 系列的后续产品、它与竞争对手相比、具有更低的栅极电荷、更好的关闭行为和高达 69% 的反向恢复电荷。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 38 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 55 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
