工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK4 封装、工业标准
这些设备无铅
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | LFPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 21.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 37 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 4.25mm |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
